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參數(shù)資料
| 型號： | IBMN612804GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁數(shù)： | 29/79頁 |
| 文件大小： | 1324K |
| 代理商： | IBMN612804GT3B |
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IBMN612404GT3B
IBMN612804GT3B
Preliminary
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
06K0566.F39350B
1/01
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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Read to Precharge: CAS Latencies (Burst Length = 4 or 8)
CAS Latency = 2
NOP
PRE
NOP
NOP
ACT
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DOa-n
DO a-n = data out from bank a, column n.
Cases shown are either uninterrupted bursts of 4 or interrupted bursts of 8.
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BA a, COL n
BA a or all
BA a, ROW
CL=2.5
CAS Latency = 2.5
NOP
PRE
NOP
NOP
ACT
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DOa-n
t
RP
BA a, COL n
BA a or all
BA a, ROW
CL=2
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBMN625404GT3B | 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)RAM) |
| IBMN625804GT3B | 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)RAM) |
| ICM7321 | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
| ICM7321M | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
| ICM7321MG | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBMPPC403GAJC33C1 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBMPPC750CLGEQ4023 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 400MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQ5023 | 制造商:IBM Microelectronics 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 500MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQA033 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ |
| IBN100 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:ICON, BLANK,BR,100PK |
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