- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379206 > IBMN612804GT3B (IBM Microeletronics) 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IBMN612804GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動態(tài)隨機存儲器（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁數(shù)： | 39/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 1324K |
| 代理商： | IBMN612804GT3B |
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IBMN612404GT3B
IBMN612804GT3B
Preliminary
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
06K0566.F39350B
1/01
IBM Corporation. All rights reserved.
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Write to Read: Nominal DQSS, Interrupting (CAS Latency = 2; Burst Length = 8)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
DQSS
(nom)
NOP
NOP
NOP
Read
Write
NOP
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 4 data elements are written.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
t
WTR
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Read command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
The Read and Write commands are not necessarily to the same bank.
1 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
DI a-b
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL n
t
WTR
CL = 2
1
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IBMPPC750CLGEQA033 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ |
| IBN100 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:ICON, BLANK,BR,100PK |
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