- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379206 > IBMN612804GT3B (IBM Microeletronics) 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBMN612804GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 65/79頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1324K |
| 代理商： | IBMN612804GT3B |
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I
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1
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200
μ
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CODE
t
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CODE
t
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IS
NOP
t
IH
t
IS
t
MRD
t
RFC
t
RFC
t
RP
t
MRD
t
MRD
t
CL
t
CK
t
CH
t
VTD
PRE
EMRS
MRS
PRE
AR
AR
MRS
ACT
CODE
CODE
RA
CODE
CODE
RA
BA0=L
BA1=L
BA0=L
BA1=L
BA
High-Z
High-Z
Power-up:
V
DD
and CK
stable
Extended Mode
Register Set
Load Mode
Register, Reset DLL
Load Mode
Register
(with A8 = L)
V
DD
V
DDQ
V
TT
(System
*
)
V
REF
CK
CK
CKE
Command
DM
A0-A9, A11
A10
BA0, BA1
DQS
DQ
LVCMOS LOW LEVEL
ALL BANKS
BA0=H
BA1=L
ALL BANKS
*
V
is not applied directly to the device, however t
must be
greater than or equal to zero to avoid device latchup.
**
t
is required before any command can be applied and
200 cycles of CK are required before a Read command can be applied.
The two Autorefresh commands may be moved to follow the first MRS,
but precede the second Precharge All command.
Don’t Care
200 cycles of CK
**
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| ICM7321M | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IBMPPC750CLGEQ5023 | 制造商:IBM Microelectronics 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 500MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQA033 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ |
| IBN100 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:ICON, BLANK,BR,100PK |
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