123AS+

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123AS+ 技術(shù)參數(shù)

123A05-B2P-HB 功能描述:CIRCUIT BREAKER SHORTSTOP 制造商:eaton 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:250 1239AS-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 39 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:470nH 容差:±20% 額定電流:3.8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:39 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 1239AS-H-6R8M=P2 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1A 375 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:375 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 1239AS-H-6R0M=P2 功能描述:6μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 275 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:6μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:275 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 1239AS-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 240 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:240 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 123JG1K 123L15-00P-WB 123NQ080 123NQ080-1 123NQ080R-1 123NQ100 123NQ100-1 123NQ100R 123NQ100R-1 123R,AL 123R,BK 123R,GY 123RI,AL 123RI,BK 123RI,GY 123SPC080A 123SPC100A 123SPD100A