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1N3046

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1N3046 技術(shù)參數(shù)
  • 1N3045BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3045B-1 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3044BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 76V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3044B-1 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 76V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3043BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 91V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:91V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 69.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3085 1N3087R 1N3155 1N3155-1 1N3155A 1N3155AE3 1N3155UR-1 1N3156 1N3156-1 1N3156UR-1 1N3157-1 1N3157UR-1 1N3161 1N3161R 1N3162 1N3162R 1N3163 1N3163R
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