1N457M

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1N457M 技術(shù)參數(shù)

1N457ATR 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N457A_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 1N457A 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 70V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4579AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4579A-1 功能描述:DIODE ZENER 6.4V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4582AUR-1 1N4583-1 1N4583AUR-1 1N4584-1 1N4584A-1 1N4584AUR-1 1N4585GP-E3/54 1N4586GP-E3/54 1N4586GP-E3/73 1N4586GPHE3/54 1N4586GPHE3/73 1N4587 1N4587R 1N4588 1N4588R 1N4589 1N4589R 1N458A