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1N4958JTXV

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  • 制造商
  • Microwave Semiconductor
  • 功能描述
  • 制造商
  • SEMICON/MSC
  • 功能描述
1N4958JTXV 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4958 功能描述:DIODE ZENER 10V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4957US 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4957 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4956US 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4956 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4963 1N4963US 1N4964 1N4964US 1N4965 1N4965US 1N4966 1N4966US 1N4967 1N4967US 1N4968 1N4968US 1N4969 1N4969US 1N4970 1N4970US 1N4971 1N4971US
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