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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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1N6642U02D 技術參數(shù)

1N6642U 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:800mV @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:5ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，D 供應商器件封裝:D-5D 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6642 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6641US 1N6641 1N6640US 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，D 供應商器件封裝:D-5D 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6659 1N6659R 1N6660 1N6660CAT1 1N6660CCT1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R 1N6673 1N6673R 1N6674 1N6674R