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1SS226,LF

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  • 1SS226,LF(T
    1SS226,LF(T

    1SS226,LF(T

  • 深圳市大源實業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：李女士

    電話：1530261991513762584085

    地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室

  • 12000

  • TOSHIBA(非存儲器)

  • 晶體管

  • 24+

  • -

  • 原裝，公司部分現(xiàn)貨，有單來談QQ:161...

  • 1SS226,LF(T
    1SS226,LF(T

    1SS226,LF(T

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人：胡慶偉

    電話：13138879988

    地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 9000

  • TOS

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

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  • 1
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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • 1SS226,LF - Tape and Reel
1SS226,LF 技術(shù)參數(shù)
  • 1SS196(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59-3 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS193-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SS193S,LF(D 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SS193,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS190TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59-3 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11
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