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1SS372(TE85L)

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  • 1SS372(TE85L)
    1SS372(TE85L)

    1SS372(TE85L)

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TOSHIBA

  • SOT23

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 1SS372(TE85L)
    1SS372(TE85L)

    1SS372(TE85L)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 196

  • TOSHIBA

  • 2004

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1SS372(TE85L)
    1SS372(TE85L)

    1SS372(TE85L)

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 9866

  • TOSHIBA

  • 0634+

  • SOT23

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
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1SS372(TE85L) 技術(shù)參數(shù)
  • 1SS370TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS367,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS366-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 35MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:肖特基 - 1 對(duì)串聯(lián) 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 電流 - 最大值:35mA 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:0.85pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時(shí)的電阻:- 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS362TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)串聯(lián) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:80mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS362FV,L3F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)串聯(lián) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:VESM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG
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