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2N3851

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 2N3851
    2N3851

    2N3851

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-210AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • 2N3851
    2N3851

    2N3851

  • 深圳市悅興晨電子科技有限公司
    深圳市悅興晨電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：０７５５-８２８１２００４82811605

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室 柜臺(tái)號(hào)新亞洲二期N2B227

  • 15600

  • solitron

  • 原廠原封裝

  • 2023+

  • -

  • 全新原裝 部分發(fā)貨3-5天

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-59 - Bulk
2N3851 技術(shù)參數(shù)
  • 2N3838 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-扁平封裝 供應(yīng)商器件封裝:6 扁平封裝 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3823 功能描述:JFET N-Channel 30V 20mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:* 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:8V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:* 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3822 功能描述:JFET N-Channel 50V 10mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:6V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3821 功能描述:JFET N-Channel 50V 2.5mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3820_D26Z 功能描述:JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:20V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:300μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:8V @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:32pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N3902 2N3903 2N3903_D26Z 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z 2N3904_J61Z
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