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2N7002BK215

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
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  • 廠商
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  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • 2N7002BK215
    2N7002BK215

    2N7002BK215

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 653000

  • NXP

  • SOT23

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨

  • 2N7002BK215

    2N7002BK215

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 10870

  • NEXPERIA

  • C08-場效應(yīng)管

  • 2126

  • -
  • 2N7002BK215
    2N7002BK215

    2N7002BK215

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18320850923

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場1713室

  • 1110

  • NXP/恩智浦

  • -

  • 1123

  • -
  • 真芯合作銳意進(jìn)取

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP
  • 功能描述
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
2N7002BK215 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7002BK,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):370mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002AQ-7 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 115mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2N7002AQ-13 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 115mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 2N7002A-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 115mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):23pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):115mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002CKVL 2N7002-D87Z 2N7002DW 2N7002DW L6327 2N7002DW-7 2N7002DW-7-F 2N7002DWA-7 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWQ-7-F 2N7002DW-TP 2N7002E 2N7002E,215 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G
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