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2N7225_10

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • N-CHANNEL MOSFET
2N7225_10 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7225 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):27.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7224U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 34A SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):81 毫歐 @ 34A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):125nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-267AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-267AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7224 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):125nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N720A 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):5V @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18(TO-206AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N708 功能描述:TRANS NPN 15V TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):25μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N7635-GA 2N7636-GA 2N7637-GA 2N7638-GA 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E
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