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2SB1184-TL-Q

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  • 2SB1184-TL-Q
    2SB1184-TL-Q

    2SB1184-TL-Q

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理

    電話(huà)：0755-83254770

    地址：深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • ROHM

  • TO-251

  • 18+

  • -

  • 長(zhǎng)期供應(yīng)

  • 2SB1184-TL-Q
    2SB1184-TL-Q

    2SB1184-TL-Q

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話(huà)：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ROHM

  • TO-252

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條 
  • 1
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2SB1184-TL-Q 技術(shù)參數(shù)
  • 2SB1184TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 3A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:70MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1184TLP 功能描述:TRANS PNP 50V 3A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:70MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SB1183TL 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類(lèi)型:PNP - 達(dá)林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.2mA，600mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SB1182TLR 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1182TLQ 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1198KT146Q 2SB1198KT146R 2SB1201S-E 2SB1201S-TL-E 2SB1201T-E 2SB1201T-TL-E 2SB1202S-E 2SB1202S-TL-E 2SB1202T-E 2SB1202T-TL-E 2SB1203S-E 2SB1203S-H 2SB1203S-H-TL-E 2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-H 2SB1203T-E 2SB1203T-H 2SB1203T-H-TL-E
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