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2SC3379

配單專家企業(yè)名單
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  • 深圳市大源實業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：李女士

    電話：1530261991513762584085

    地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室

  • 2600

  • 三菱

  • N/A

  • 24+

  • -

  • 原裝，公司部分現(xiàn)貨，有單來談QQ:161...

  • 2SC3379
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    2SC3379

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MIT

  • NULL

  • 07/08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SC3379
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    2SC3379

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 11630

  • MITSUBI

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝正品，優(yōu)勢供應(yīng)

  • 2SC3379
    2SC3379

    2SC3379

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 8977

  • MITSUBIS

  • 高頻館

  • 14+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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  • 制造商
  • MITSUBISHI
  • 制造商全稱
  • Mitsubishi Electric Semiconductor
  • 功能描述
  • NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
2SC3379 技術(shù)參數(shù)
  • 2SC3357-T1-RF-A 功能描述:SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 2SC3357-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2SC3357-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2SC3356-T1B-R25-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 2SC3356-T1B-R24-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E 2SC3648S-TD-E 2SC3648T-TD-E 2SC3649S-TD-E
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