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2SC5551E 技術(shù)參數(shù)

2SC5551AF-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:3.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1.3W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:135 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC5551AE-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:3.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1.3W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SC5549,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 1A 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 25mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 40mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC5536A-TL-H 功能描述:TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:1.7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 150MHz 增益:16dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 3mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-81 供應(yīng)商器件封裝:3-SSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC5646A-TL-H 2SC565400L 2SC5654G0L 2SC5658M3T5G 2SC5658RM3T5G 2SC5658T2LQ 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5659T2LN 2SC5659T2LP 2SC5661T2LP 2SC5662T2LN 2SC5662T2LP 2SC5663T2L 2SC5706-E 2SC5706-H 2SC5706-P-E 2SC5706-P-TL-E