2SD2411QTX

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2SD2411QTX 技術(shù)參數(shù)

2SD2406-Y(F) 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:30μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:8MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SD2401 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 12A MT200 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 7mA，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 7A，4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:55MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-ESIP 供應商器件封裝:MT-200 標準包裝:250 2SD2396K 功能描述:TRANS NPN 60V 3A TO220 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 50mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 500mA，4V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:40MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FN 標準包裝:500 2SD2391T100Q 功能描述:TRANS NPN 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:210MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD2390 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 10A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 7mA，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 7A，4V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:55MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SD24590RL 2SD24590SL 2SD24790RA 2SD250400A 2SD2528 2SD2537T100V 2SD25490P 2SD2560 2SD2561 2SD2562 2SD256500A 2SD25730QA 2SD25980RA 2SD2607FU6 2SD2620G0L 2SD2620J0L 2SD262100L 2SD2621G0L