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2SJ75

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  • 2SJ75
    2SJ75

    2SJ75

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • NEC

  • CAN

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SJ75
    2SJ75

    2SJ75

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • NEC

  • CAN

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SJ75
    2SJ75

    2SJ75

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 856420

  • N/A

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  • 最新批號

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  • 制造商
  • TOSHIBA
  • 制造商全稱
  • Toshiba Semiconductor
  • 功能描述
  • SILICON P-Channel Transistor 2SJ75
2SJ75 技術參數(shù)
  • 2SJ687-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH 20V 20A TO-252 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252（MP-3ZK） 標準包裝:1 2SJ683-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 65A ZP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:65A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15500pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:ZP 標準包裝:1 2SJ681(Q) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:PW-MOLD2 標準包裝:200 2SJ673-AZ 功能描述:MOSFET P-CH 60V 36A TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4600pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應商器件封裝:TO-220 隔離的標片 標準包裝:500 2SJ668(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:U-MOSIII 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:700pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:20W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2.5A，10V 工作溫度:150°C 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PW-MOLD 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,000 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E
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