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配單專家企業(yè)名單

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數(shù)量
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說明
操作

2SK3225(1)-Z-E1-AZ
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9500
NEC
TO252
09+
-
全新原裝現(xiàn)貨

2SK3225(1)-Z-E1-AZ
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
162
RENESAS
TO-252
10+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

2SK3225(1)-Z-E1-AZ
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
TO-252
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

2SK3225(1)-Z-E1-AZ
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
65000
RENESAS/瑞薩
TO-252
2020+
-
★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權(quán)★★★

2SK3225(1)-Z-E1-AZ
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G
9987
NEC
TO252
12+
-
絕對公司原裝現(xiàn)貨

2SK3225(1)-Z-E1-AZ
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4389
RENESAS
TO-252
2215+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

1/1頁 40條/頁共19條
1

您是不是要找： 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318 2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-GR(TE85L,F 2SK3320-Y(TE85L,F)

2SK3225(1)-Z-E1-AZ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK3225(1)-Z-E1-AZ 技術(shù)參數(shù)

2SK3199 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 2SK3132(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11000pF @ 10V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3PL 供應商器件封裝:TO-3P（L）標準包裝:25 2SK3128(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 10V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P（N）標準包裝:50 2SK3127(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 10V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-220SM 標準包裝:3,000 2SK3079ATE12LQ 功能描述:MOSF RF N CH 10V PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道頻率:470MHz 增益:13.5dB 電壓 - 測試:4.5V 額定電流:3A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:33.5dBmW 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-271AA 供應商器件封裝:PW-X 標準包裝:1 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q)