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2SK3367-Z-E1

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  • 2SK3367-Z-E1
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NEC

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 436884

  • RENESAS

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • 2SK3367-Z-E1
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  • 深圳市特瑞斯科技有限公司
    深圳市特瑞斯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8277481983249326

    地址:銷售一部:華強北上步工業(yè)區(qū)501棟401室 銷售二部:深圳市福田區(qū)紅荔路上航大廈411室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 18530

  • NEC

  • TO263/

  • 20+

  • -
  • 公司常備大量原裝現貨,價優(yōu)!

  • 2SK3367-Z-E1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NEC/RENESAS

  • TO-252

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SK3367-Z-E1-AZ
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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 36200

  • NEC

  • TO252

  • 18+

  • -
  • 原裝正品,歡迎訂購

  • 2SK3367-Z-E1-AZ
    2SK3367-Z-E1-AZ

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 36200

  • NEC

  • TO252

  • 18+

  • -
  • 原裝正品,歡迎訂購

  • 2SK3367-Z-E1
    2SK3367-Z-E1

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  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 25000

  • NEC

  • SOT252

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 2SK3367-Z-E1
    2SK3367-Z-E1

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 12000

  • NEC

  • SOT252

  • 12+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

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2SK3367-Z-E1 技術參數
  • 2SK3342(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:2,000 2SK3320-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1.2mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3320-GR(TE85L,F 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2.6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3320-BL(TE85L,F 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3318 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):460 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 20V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q) 2SK3475TE12LF 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L
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