2SK3433-AZ

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2SK3433-AZ(K)
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NEC
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現(xiàn)貨??！

2SK3433-AZ
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業(yè)執(zhí)照
20
Renesas
21
-
瑞智芯只有原裝

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1

您是不是要找： 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q) 2SK3475TE12LF 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ

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制造商
Renesas Electronics
功能描述
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Cut Tape
制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
Nch MOSFET,60V,40A,22m ohm,TO-220AB
制造商
Renesas
功能描述
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

2SK3433-AZ 技術參數(shù)

2SK3431-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:83A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6100pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 2SK3431-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:83A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6100pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 2SK3430-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 2SK3430-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 2SK34260TL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E 2SK3670(F,M) 2SK3670(T6CANO,A,F