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2SK3638-ZK-E1
北京首天偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
NEC
SOT-252
05+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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深圳市深美諾電子科技有限公司
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聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
NEC
SOT-252
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

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深圳市桂鵬科技有限公司
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聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐
電話：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國(guó)都大廈-國(guó)麗15D（地王大廈周邊）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
82810298
NEC
SOT-252
15+
-
深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務(wù)

2SK3638-ZK-E1
深圳市柏新電子科技有限公司
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聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
115000
NEC
SOT-252
2012+
-
只做原裝正品

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深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)45層4503B★公司為一般納稅人，可開(kāi)正規(guī)13%專
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
59990
NEC
SOT-252
17+
-
100%原裝，誠(chéng)信為本，等你咨詢！

2SK3638-ZK-E1
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
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聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4855
NEC
TO-252
2226+
-
十年專營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

2SK3638-ZK-E1
深圳市華金瑞電子有限公司
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聯(lián)系人：劉
電話：15323844149
地址：中航路華強(qiáng)電子世界三店佳和電子市場(chǎng)
610
VISHAY
TO-252原盤
05
-
100%原裝！優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共36條
1

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2SK3638-ZK-E1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

2SK3638-ZK-E1 技術(shù)參數(shù)

2SK3566(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.4 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:470pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3565(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3564(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.3 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測(cè)試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測(cè)試:1mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測(cè)試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測(cè)試:1mA 功率 - 輸出:200mW 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747