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2SK3670

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  • 2SK3670(F)
    2SK3670(F)

    2SK3670(F)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 14560

  • TOSHIBA

  • SMTDIP

  • 2024+

  • -

  • 頂級代理商原裝現貨

  • 2SK3670
    2SK3670

    2SK3670

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • TO92L

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 2SK3670
    2SK3670

    2SK3670

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 11630

  • TOSHIBA

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝正品，優(yōu)勢供應

  • 2SK3670
    2SK3670

    2SK3670

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 254000

  • TOSHIBA袋

  • TO-92L

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 2SK3670,F(J
    2SK3670,F(J

    2SK3670,F(J

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • TOSHIBA

  • 2013

  • -

  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共27條 
  • 1
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2SK3670 技術參數
  • 2SK3666-4-TB-E 功能描述:JFET N-CH 30V 0.2W CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:3,000 2SK3666-3-TB-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3666-2-TB-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):新產品 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:600μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3662(F) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.5 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5120pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SK3566(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.4 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:470pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220SIS 標準包裝:50 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747 2SK3747-1E 2SK3747-MG8 2SK3748 2SK3748-1E
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