2SK4150TZ-E

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

2SK4150TZ-E
深圳市百潤(rùn)電子有限公司
深圳市百潤(rùn)電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場(chǎng)D1棟26A
1591
RENESAS
TO-92
15+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫(kù)存*全網(wǎng)最低

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您是不是要找： 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E 2SK4177-E 2SK4181-TL-E 2SK4196LS 2SK4196LS-1E 2SK4197FS

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制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
Trans MOSFET N-CH 250V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
MOSFET - Tape and Reel
制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

2SK4150TZ-E 技術(shù)參數(shù)

2SK4126 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4125-1E 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:610 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 2SK4125 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:610 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4124-1E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 2SK4124 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V 2SK715V-AC