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2SK4177-DL-1EX

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
NCH 10V DRIVE SERIES

2SK4177-DL-1EX 技術(shù)參數(shù)

2SK4177-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK4171 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:135nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6900pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4151TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.95 歐姆 @ 500mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:98pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SK4150TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:400mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 歐姆 @ 200mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:80pF @ 25V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SK4126 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V 2SK715V-AC 2SK715W 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E