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2SK804

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  • 2SK804
    2SK804

    2SK804

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴(lài)先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • MAT

  • TO-3P

  • 2024+

  • -
  • 代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • 2SK804
    2SK804

    2SK804

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 松下

  • 3P

  • 最新批號(hào)

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  • 2SK804
    2SK804

    2SK804

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4810

  • 松下

  • TO-3P

  • 13+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存

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  • 1
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  • 制造商
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  • 制造商全稱(chēng)
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR
2SK804 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):2.5mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9pF @ 10V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9pF @ 10V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):14.5mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):14.5mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):10mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12
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