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2SK892

配單專家企業(yè)名單
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  • 2SK892
    2SK892

    2SK892

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • TOS

  • TO-22O

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 2SK892
    2SK892

    2SK892

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4810

  • TOS

  • TO-220

  • 13+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨庫存

  • 2SK892
    2SK892

    2SK892

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TOHSIBA東芝

  • TO-220

  • 07+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SK892
    2SK892

    2SK892

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1423

  • TOS

  • TO-220

  • 2024+

  • -

  • 代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • 2SK892
    2SK892

    2SK892

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6800

  • T

  • TO-220

  • 2015+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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2SK892 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK880-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK880GRTE85LF 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK880-BL(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK879-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:400mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8.2pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK879-GR(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:400mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8.2pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12 2SP0115T2A0-17 2SP0115T2B0-06 2SP0115T2B0-12 2SP0115T2B0-17 2SP0115T2C0-06
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