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2SK895
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
TOHSIBA東芝
TO-3P
07+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-3PN
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4810
TOS
TO-3P
13+
-
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存

2SK895
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴(lài)先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1163
TOS
TO-3P
2024+
-
不怕你不買(mǎi)只怕你不問(wèn)

2SK895
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
62
TOSHIBA
TO247
2012+
-
只做原裝正品

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深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門(mén)市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1800
T
TO-3P
2015+
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

2SK895
深圳市華金瑞電子有限公司
深圳市華金瑞電子有限公司
聯(lián)系人：劉
電話：15323844149
地址：中航路華強(qiáng)電子世界三店佳和電子市場(chǎng)
121
TOSHIBA
TO-3P原裝
09PB
-
100%原裝！優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存

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2SK895 技術(shù)參數(shù)

2SK880-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK880GRTE85LF 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK880-BL(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK879-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:400mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8.2pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK879-GR(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:400mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8.2pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12 2SP0115T2A0-17 2SP0115T2B0-06 2SP0115T2B0-12 2SP0115T2B0-17 2SP0115T2C0-06