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3N187

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 856420

  • S

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • 3N187
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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

  • 原廠原裝

  • 18+

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  • 原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

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    3N187

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 9331

  • MOT

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  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

  • 3N187
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  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 19+

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON DUAL INSULATED GATE MOSFET TRANSISTOR - Rail/Tube
  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
  • 制造商
  • N/A
  • 功能描述
  • 3N187 DUAL GATE MOSFET '90
  • 制造商
  • Harris Corporation
  • 功能描述
3N187 技術(shù)參數(shù)
  • 3N164 功能描述:MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):300 歐姆 @ 100μA,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 3N163-E3 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):250 歐姆 @ 100μA,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 3N163-2 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):250 歐姆 @ 100μA,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 3N163 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):250 歐姆 @ 100μA,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 3N104-D000-S08 BF 功能描述:4 Position Circular Connector Plug, Male Pins Solder Cup Gold 制造商:3m 系列:3N1 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 連接器類型:插頭,公引腳 針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸,MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:焊杯 緊固類型:有螺紋 朝向:D 侵入防護(hù):IP68 - 防塵,防水 外殼材料,鍍層:熱塑塑膠 觸頭鍍層:金 特性:后殼 觸頭鍍層厚度:8μin(0.20μm) 額定電流:4A 電壓 - 額定:250VDC 工作溫度:-25°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 3N246-E4/72 3N246-M4/51 3N247 3N247-E4/45 3N247-E4/51 3N247-E4/72 3N247-M4/51 3N248 3N248-E4/45 3N248-E4/51 3N248-E4/72 3N248-M4/51 3N249 3N249-E4/45 3N249-E4/51 3N249-E4/72 3N249-M4/51 3N250
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