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AO5404EL/AO5404E

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AO5404EL/AO5404E 技術參數(shù)
  • AO5404EL 功能描述:MOSFET N-CH SC89-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):45pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):280mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 500mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SC-89-3 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 標準包裝:3,000 AO5404E_001 功能描述:MOSFET N-CH SC89-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):45pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):280mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 500mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SC-89-3 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 標準包裝:3,000 AO5404E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.5A SC89-3L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:SC-89-3 標準包裝:1 AO5401E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:SC-89-3 標準包裝:1 AO4952 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):605pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO6402L AO6403 AO6403L AO6404 AO6405 AO6408 AO6409 AO6409_102 AO6409_DELTA AO6409A AO6409A_102 AO6411 AO6414 AO6415 AO6420 AO6424 AO6424A AO6601
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