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AOB2144

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  • AOB2144L
    AOB2144L

    AOB2144L

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 400045

  • YXYBDT臺灣

  • TO220

  • 2024+

  • -
  • 代理臺灣YXYBDT.現(xiàn)貨

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AOB2144 技術(shù)參數(shù)
  • AOB210L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4300pF @ 15V 功率 - 最大值:176W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB20S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):199 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1038pF @ 100V 功率 - 最大值:266W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB20C60PL 功能描述:MOSFET NCH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3607pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB20C60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3440pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AOB20C60 功能描述:MOSFET N-CH TO-263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3440pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AOB2618L AOB262L AOB264L AOB266L AOB270AL AOB270L AOB27S60L AOB280L AOB282L AOB284L AOB286L AOB288L AOB2904 AOB290L AOB2910L AOB2918L AOB292L AOB296L
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