AOB66916L

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AOB66916L
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話(huà)：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

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AOB66916L 技術(shù)參數(shù)

AOB5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開(kāi)關(guān)能量:80μJ（開(kāi)），70μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:14nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:8.5ns/106ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:195ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB5B60D 功能描述:IGBT 600V 23A 82.4W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:82.4W 開(kāi)關(guān)能量:140μJ（開(kāi)），40μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:9.4nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/83ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:98ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AOB4S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB482L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.9 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB480L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7820pF @ 40V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOC2414 AOC2415 AOC2417 AOC2421 AOC2422 AOC2423 AOC2800 AOC2802 AOC2802_001 AOC2804 AOC2804B AOC2806 AOC2870 AOC3860 AOC3862 AOC3864 AOC3868 AOC4810