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AOI4104

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  • AOI4104
    AOI4104

    AOI4104

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • A

  • TO-251A

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
AOI4104 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
AOI4104 技術(shù)參數(shù)
  • AOI4102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Ta),19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):37.5 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):432pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI409 功能描述:MOSFET P-CH 60V 26A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3600pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI403 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.7 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):61nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI2N60A 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.7 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI442 AOI444 AOI452A AOI468 AOI472A AOI482 AOI4C60 AOI4N60 AOI4S60 AOI4T60 AOI4T60P AOI4TL60 AOI508 AOI510 AOI514 AOI516 AOI516_001 AOI516_002
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