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AOI417

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  • AOI417
    AOI417

    AOI417

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • A

  • TO-251A

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
AOI417 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
AOI417 技術(shù)參數(shù)
  • AOI4146 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),55A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2440pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:70 AOI4144_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),55A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1430pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOI4130 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.5A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI4126 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.5A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.5A(Ta),43A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2200pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI4102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta),19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):37.5 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):432pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI472A AOI482 AOI4C60 AOI4N60 AOI4S60 AOI4T60 AOI4T60P AOI4TL60 AOI508 AOI510 AOI514 AOI516 AOI516_001 AOI516_002 AOI518 AOI518_001 AOI530 AOI538
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