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AOI7N60

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  • AOI7N60
    AOI7N60

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-251A

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  • AOI7N60
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • TO-251A

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  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 59990

  • AO/萬代

  • TO-251A

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 7A TO251A
AOI7N60 技術參數(shù)
  • AOI5N40 功能描述:MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 AOI538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Ta），70A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:42nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），24W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-251A 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 標準包裝:3,500 AOI530 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A TO-251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），70A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3130pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 AOI518_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:951pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 AOI518 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:951pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:70 AOK20B120E1 AOK20B120E2 AOK20B135D1 AOK20B135E1 AOK20B60D1 AOK20B65M1 AOK20B65M2 AOK20N60L AOK20S60L AOK22N50L AOK2500L AOK27S60L AOK29S50L AOK30B120D2 AOK30B135W1 AOK30B60D AOK30B60D1 AOK30B65M2
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