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AONS66923

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    AONS66923

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 26000

  • AOS

  • DFN

  • 2022+

  • -

  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

  • AONS66923
    AONS66923

    AONS66923

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-82788062

    地址：華強北都會軒4507

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • AOS/萬代

  • DFN

  • 24+

  • -

  • 原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

  • AONS66923
    AONS66923

    AONS66923

  • 東莞鼎岑科技有限公司
    東莞鼎岑科技有限公司

    聯(lián)系人：莫

    電話：18925581989

    地址：廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)林村大道445號北鉅業(yè)大夏319室

  • 20000

  • AOS

  • DFN

  • -

  • AONS66923
    AONS66923

    AONS66923

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • AOS

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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AONS66923 技術(shù)參數(shù)
  • AONR32314 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):初步 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），30A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1420pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），24W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.7 毫歐 @ 17A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標準包裝:5,000 AON7934 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A，15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.2 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:485pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3） 標準包裝:1 AON7932_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.6A，8.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 6.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:1 AON7932 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.6A，8.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 6.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3） 標準包裝:1 AON7902 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A，13A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:710pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3） 標準包裝:5,000 AORN2001AT5 AORN2002AT5 AORN20-1AT5 AORN2-1AT5 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L AOT10N65
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