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APT30SCD120S

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  • APT30SCD120S
    APT30SCD120S

    APT30SCD120S

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 全新庫存現(xiàn)貨 電話010-6210493...

  • APT30SCD120S
    APT30SCD120S

    APT30SCD120S

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 40

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE DIODE
APT30SCD120S 技術(shù)參數(shù)
  • APT30SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:99A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:600μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2100pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30S20SG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT30S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30S20BCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 45A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:45A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 200V 安裝類型:通孔，徑向 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30N60KC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 960μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2267pF @ 25V 功率 - 最大值:219W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK APT3216MGC APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK APT3216SYCK/J3-PRV APT3216VBC/D APT3216YC APT3216ZGC APT3216ZGCK
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