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APT33N90JCU3

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
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  • 操作
  • APT33N90JCU3
    APT33N90JCU3

    APT33N90JCU3

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話(huà)：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • MOSFET N-CH 900V 33A

  • 22+

  • -

  • APT33N90JCU3
    APT33N90JCU3

    APT33N90JCU3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 40

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - COOLMOS - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOD MOSFET 900V 33A SOT227
APT33N90JCU3 技術(shù)參數(shù)
  • APT33N90JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:270nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 100V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散（最大值）:290W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33N90JCCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33GF120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 開(kāi)關(guān)能量:1.315mJ（開(kāi)），1.515mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:170nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:14ns/185ns 測(cè)試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT33GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:52A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):104A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:297W 開(kāi)關(guān)能量:2.8mJ（開(kāi)）， 2.8mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:170nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:25ns/210ns 測(cè)試條件:- 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33GF120B2RDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 開(kāi)關(guān)能量:1.315μJ（開(kāi)），1.515μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:170nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:14ns/185ns 測(cè)試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GA90B APT35GA90BD15 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J
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