APT41F100JMI

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封裝
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說明
操作

APT41F100JMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
SOT-227
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

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APT41F100JMI 技術(shù)參數(shù)

APT41F100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:41A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:18500pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40SM120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:41A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40SM120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40SM120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:41A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40N60JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40