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APT44GA60BD30C

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • MICROSEMI

  • Standa..

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Microsemi/美高森美

  • TO247

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 18652

  • APT/ MICROSEMI

  • Standard

  • 2024+

  • -

  • 全國最底價現(xiàn)貨

  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Microsemi

  • TO247

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 47141

  • MICROSE

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 246405

  • MICROSE

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 11630

  • Microsemi

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝正品，優(yōu)勢供應(yīng)

  • 1/1頁 40條/頁 共32條 
  • 1
APT44GA60BD30C PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 600V 78A 337W TO247
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • POWER MOS 8™
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 3V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
APT44GA60BD30C 技術(shù)參數(shù)
  • APT44GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ（開），258μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/84ns 測試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ（開），258μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/84ns 測試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44F80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44F80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT43M60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8590pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG
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