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APT45GR65B
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話(huà)：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APT45GR65B
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話(huà)：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
62
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APT45GR65B2DU30
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話(huà)：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室
9688
TI
NA
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

APT45GR65B
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話(huà)：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
MICROCHIP/微芯
TO-247
22+
-
十年配單，只做原裝

APT45GR65B
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話(huà)：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-247
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT45GR65B
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話(huà)：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
IGBT 650V 92A 357W T
22+
-

APT45GR65B
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話(huà)010-62104...

APT45GR65B
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話(huà)：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
376
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

APT45GR65B
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
590
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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1

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功能描述
IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
IGBT 類(lèi)型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
92A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
168A
不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
2.4V @ 15V，45A
功率 - 最大值
357W
開(kāi)關(guān)能量
900μJ（開(kāi)），580μJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
203nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值
15ns/100ns
測(cè)試條件
433V，45A，4.3 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
-
封裝/外殼
TO-247-3
安裝類(lèi)型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-247
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APT45GR65B 技術(shù)參數(shù)

APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 電流 - 集電極截止（最大值）:750μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.94nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:900μJ（開(kāi)），904μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:185nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:18ns/102ns 測(cè)試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:113A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:900μJ（開(kāi)），905μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:185nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:18ns/100ns 測(cè)試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT44GA60BD30C 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.6V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開(kāi)關(guān)能量:409μJ（開(kāi)），450μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:16ns/102ns 測(cè)試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR

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