APTGF50VDA120T3G

APTGF50VDA120T3G
深圳市晶美隆科技有限公司
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聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業(yè)執(zhí)照
15862
MICROSEMI
Standa..
23+
-
全新原裝正品現貨熱賣

APTGF50VDA120T3G
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT NPT D
22+
-

APTGF50VDA120T3G
深圳市鵬展勝電子有限公司
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聯(lián)系人：林先生
電話：135-3814-2003
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801
資質：營業(yè)執(zhí)照
500
N/A
原廠原裝
18+
-
專營原裝正品，價錢實惠，有現貨，聯(lián)系電話...

APTGF50VDA120T3G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
155
MICROSE
1521+
-
全新原裝現貨

APTGF50VDA120T3G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業(yè)執(zhí)照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

APTGF50VDA120T3G
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
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聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
4671
MICROSEMI
MODULE SP3
2222+
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十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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功能描述
POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGF50VDA120T3G 技術參數

APTGF50TL60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Three Level Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:三級反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF50TDU120PG 功能描述:IGBT Module NPT Triple, Dual - Common Source 1200V 75A 312W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:三，雙 - 共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGF50TA120PG 功能描述:IGBT Module NPT Three Phase 1200V 75A 312W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:三相電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGF50SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50SK120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF75H120TG APTGF75SK60D1G APTGF90A60D1G APTGF90A60T1G APTGF90A60TG APTGF90DA60D1G APTGF90DA60T1G APTGF90DA60TG APTGF90DH60T3G APTGF90DH60TG APTGF90DU60TG APTGF90H60T3G APTGF90H60TG APTGF90SK60D1G APTGF90SK60T1G APTGF90SK60TG APTGF90TA60PG APTGF90TDU60PG