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APTGT50A120TG

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTGT50A120TG 技術(shù)參數(shù)
  • APTGT50A120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50A120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 270W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50A1202G 功能描述:MOD IGBT 1200V 75A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT450SK60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 550A 1750W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:550A 功率 - 最大值:1750W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V，450A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:37nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT450DU60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 550A 1750W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:雙，共源 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:550A 功率 - 最大值:1750W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V，450A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:37nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50DDA120T3G APTGT50DDA60T3G APTGT50DH120T3G APTGT50DH120TG APTGT50DH170TG APTGT50DH60T1G APTGT50DH60TG APTGT50DSK120T3G APTGT50DSK60T3G APTGT50DU120TG APTGT50DU170TG APTGT50H120T3G APTGT50H120TG APTGT50H170TG APTGT50H60RT3G APTGT50H60T1G APTGT50H60T3G APTGT50SK120D1G
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