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APU0065YE

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  • APU0065YE
    APU0065YE

    APU0065YE

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Anpen Electr

  • 2000+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • APU0065YE
    APU0065YE

    APU0065YE

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 20704

  • AnpenElectr

  • N/A

  • 最新批次

  • -

  • 代理此型號(hào).原裝正品現(xiàn)貨

  • APU0065YE
    APU0065YE

    APU0065YE

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3950

  • ANPENELEC

  • NA

  • 2000+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APU0065YE
    APU0065YE

    APU0065YE

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9800

  • AnpenElectr

  • 18+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條 
  • 1
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APU0065YE 技術(shù)參數(shù)
  • APTSM120TAM33CTPAG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:112A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 60A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:408nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7680pF @ 1000V 功率 - 最大值:714W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM55CT1AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（雙），肖特基 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:74A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:272nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5120pF @ 1000V 功率 - 最大值:470W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（雙），肖特基 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:148A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 80A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:544nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM14CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（雙），肖特基 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:337A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 180A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1224nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23000pF @ 1000V 功率 - 最大值:2140W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM09CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 AP-UM001GR13CS-2T AP-UM001GR23CS-2NRT AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST AP-UM001GT40EG-2NRT
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