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AS4C128M32MD4-062BAN

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  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

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  • 北京京華特科技有限公司
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    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

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  • ALLIANCE MEMORY INC

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AS4C128M32MD4-062BAN 技術參數
  • AS4C128M32MD2-18BINTR 功能描述:134-BALLFBGA (11.5X11.5X1.0) 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術:SDRAM - 移動 LPDDR2 存儲容量:4Gb (128M x 32) 時鐘頻率:533MHz 寫周期時間 - 字,頁:15ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) 標準包裝:1,000 AS4C128M32MD2-18BIN 功能描述:134-BALLFBGA (11.5X11.5X1.0) 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術:SDRAM - 移動 LPDDR2 存儲容量:4Gb (128M x 32) 時鐘頻率:533MHz 寫周期時間 - 字,頁:15ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) 標準包裝:168 AS4C128M32MD2-18BCNTR 功能描述:134-BALLFBGA (11.5X11.5X1.0) 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術:SDRAM - 移動 LPDDR2 存儲容量:4Gb (128M x 32) 時鐘頻率:533MHz 寫周期時間 - 字,頁:15ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) 標準包裝:1,000 AS4C128M32MD2-18BCN 功能描述:SDRAM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術:SDRAM - 移動 LPDDR2 存儲容量:4Gb (128M x 32) 時鐘頻率:533MHz 寫周期時間 - 字,頁:15ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:134-VFBGA 供應商器件封裝:134-FBGA(10x11.5) 標準包裝:168 AS4C128M16MD2-25BCNTR 功能描述:134-BALL FBGA (10X11.5X1.0) 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術:SDRAM - 移動 LPDDR2 存儲容量:2Gb (128M x 16) 時鐘頻率:400MHz 寫周期時間 - 字,頁:15ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) 標準包裝:1,000 AS4C128M8D2A-25BINTR AS4C128M8D3-12BAN AS4C128M8D3-12BANTR AS4C128M8D3-12BCN AS4C128M8D3-12BCNTR AS4C128M8D3-12BIN AS4C128M8D3-12BINTR AS4C128M8D3A-12BAN AS4C128M8D3A-12BANTR AS4C128M8D3A-12BCN AS4C128M8D3A-12BCNTR AS4C128M8D3A-12BIN AS4C128M8D3A-12BINTR AS4C128M8D3L-12BAN AS4C128M8D3L-12BANTR AS4C128M8D3L-12BCN AS4C128M8D3L-12BCNTR AS4C128M8D3L-12BIN
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