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AS6C6264-55SCN(PB)

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AS6C6264-55SCN(PB) 技術(shù)參數(shù)
  • AS6C6264-55SCN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C6264-55PIN 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 28DIP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:SRAM 技術(shù):SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:64Kb （8K x 8） 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):55ns 訪問(wèn)時(shí)間:55ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 AS6C6264-55PCN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C62256A-70SINTR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C62256A-70SIN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C6264A-70SIN AS6C6264A-70SINTR AS6C6416-55TIN AS6C6416-55TINTR AS6C8008-55BIN AS6C8008-55BINTR AS6C8008-55ZIN AS6C8008-55ZINTR AS6C8008A-45BIN AS6C8008A-45BINTR AS6C8008A-45ZIN AS6C8008A-45ZINTR AS6C8016-55BIN AS6C8016-55BINTR AS6C8016-55TIN AS6C8016-55TINTR AS6C8016-55ZIN AS6C8016-55ZINTR
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