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ATSAME53J20A-MZ

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  • ATSAME53J20A-MZ
    ATSAME53J20A-MZ

    ATSAME53J20A-MZ

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • VQFN

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

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  • 1
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ATSAME53J20A-MZ 技術(shù)參數(shù)
  • ATSAME53J20A-MUT 功能描述:120MHZ 1024KB FLASH 64 QFN PKG I 制造商:microchip technology 系列:SAM E53 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 核心處理器:ARM? Cortex?-M4F 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 連接性:EBI/EMI,以太網(wǎng),I2C,IrDA,LIN,MMC/SD,QSPI,SPI,UART/USART,USB 外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT I/O 數(shù):51 程序存儲(chǔ)容量:1MB(1M x 8) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:256K x 8 電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.71 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 24x12b,D/A 2x12b 振蕩器類型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:64-VFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:64-VQFN(9x9) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATSAME53J20A-MU 功能描述:120MHZ 1024KB FLASH 64 QFN PKG I 制造商:microchip technology 系列:SAM E53 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 核心處理器:ARM? Cortex?-M4F 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 連接性:EBI/EMI,以太網(wǎng),I2C,IrDA,LIN,MMC/SD,QSPI,SPI,UART/USART,USB 外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT I/O 數(shù):51 程序存儲(chǔ)容量:1MB(1M x 8) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:256K x 8 電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.71 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 24x12b,D/A 2x12b 振蕩器類型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:64-VFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:64-VQFN(9x9) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:260 ATSAME53J20A-AUT 功能描述:120MHZ 1024KB FLASH 64 TQFP PKG 制造商:microchip technology 系列:SAM E53 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 核心處理器:ARM? Cortex?-M4F 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 連接性:EBI/EMI,以太網(wǎng),I2C,IrDA,LIN,MMC/SD,QSPI,SPI,UART/USART,USB 外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT I/O 數(shù):51 程序存儲(chǔ)容量:1MB(1M x 8) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:256K x 8 電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.71 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 24x12b,D/A 2x12b 振蕩器類型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:64-TQFP 供應(yīng)商器件封裝:64-TQFP(10x10) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATSAME53J20A-AU 功能描述:120MHZ 1024KB FLASH 64 TQFP PKG 制造商:microchip technology 系列:SAM E53 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 核心處理器:ARM? Cortex?-M4F 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 連接性:EBI/EMI,以太網(wǎng),I2C,IrDA,LIN,MMC/SD,QSPI,SPI,UART/USART,USB 外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT I/O 數(shù):51 程序存儲(chǔ)容量:1MB(1M x 8) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:256K x 8 電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.71 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 24x12b,D/A 2x12b 振蕩器類型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:64-TQFP 供應(yīng)商器件封裝:64-TQFP(10x10) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 ATSAME53J19A-MUT 功能描述:120MHZ 512KB FLASH 64 QFN PKG IN 制造商:microchip technology 系列:SAM E53 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 核心處理器:ARM? Cortex?-M4F 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 連接性:EBI/EMI,以太網(wǎng),I2C,IrDA,LIN,MMC/SD,QSPI,SPI,UART/USART,USB 外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT I/O 數(shù):51 程序存儲(chǔ)容量:512KB(512K x 8) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:192K x 8 電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.71 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 24x12b,D/A 2x12b 振蕩器類型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:64-VFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:64-VQFN(9x9) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATSAME54P19A-AUT ATSAME54P20A-AU ATSAME54P20A-AUT ATSAME54-XPRO ATSAME70J19A-AN ATSAME70J19A-ANT ATSAME70J20A-AN ATSAME70J20A-ANT ATSAME70J21A-AN ATSAME70J21A-ANT ATSAME70N19A-AN ATSAME70N19A-ANT ATSAME70N19A-CN ATSAME70N19A-CNT ATSAME70N20A-AN ATSAME70N20A-ANT ATSAME70N20A-CN ATSAME70N20A-CNT
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