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AUIRF3805STRR

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    AUIRF3805STRR

    AUIRF3805STRR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • IR

  • TO-263

  • 最新批號(hào)

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AUIRF3805STRR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRF3805STRR 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRF3805S-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 140A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):200nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7820pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRF3805S-7P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 140A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):200nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7820pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF3805S 功能描述:MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7960pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF3805L-7P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 160A TO262-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):160A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):200nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):7820pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 140A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 封裝/外殼:TO-262-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF3805L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 160A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7960pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF540Z AUIRF540ZS AUIRF540ZSTRL AUIRF6215 AUIRF6215S AUIRF6215STRL AUIRF6218S AUIRF6218STRL AUIRF7103Q AUIRF7103QTR AUIRF7207Q AUIRF7207QTR AUIRF7303Q AUIRF7303QTR AUIRF7304Q AUIRF7304QTR AUIRF7309Q AUIRF7309QTR
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