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AUIRF7103QPBF

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    AUIRF7103QPBF

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:張育豪 13360528695

    電話:0755-23607487

    地址:深圳市福田區(qū)華富路1006號 航都大廈11樓一層

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 32520

  • INFINEON/英飛凌

  • SO-08

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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AUIRF7103QPBF 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRF7103Q 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):255pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 AUIRF6218STRL 功能描述:MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2210pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRF6218S 功能描述:MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2210pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF6215STRL 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRF6215S 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF7313Q AUIRF7313QTR AUIRF7316Q AUIRF7316QTR AUIRF7319Q AUIRF7319QTR AUIRF7341Q AUIRF7341QTR AUIRF7342Q AUIRF7342QTR AUIRF7343Q AUIRF7343QTR AUIRF7379Q AUIRF7379QTR AUIRF7416QTR AUIRF7478Q AUIRF7478QTR AUIRF7484Q
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