AUIRF7303QTRPBF

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AUIRF7303QTRPBF
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
SOP-8
15+
-
原裝正品，假一罰十

AUIRF7303QTRPBF
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
TY/臺灣半導體
SOP8
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

AUIRF7303QTRPBF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
IR
SOP-8
最新批號
-
一級代理，原裝正品現(xiàn)貨！

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AUIRF7303QTRPBF 技術參數

AUIRF7303QTR 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7303Q 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7207QTR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 5.4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7207Q 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 5.4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7103QTR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:255pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AUIRF7319QTR AUIRF7341Q AUIRF7341QTR AUIRF7342Q AUIRF7342QTR AUIRF7343Q AUIRF7343QTR AUIRF7379Q AUIRF7379QTR AUIRF7416QTR AUIRF7478Q AUIRF7478QTR AUIRF7484Q AUIRF7484QTR AUIRF7640S2TR AUIRF7647S2TR AUIRF7648M2TR AUIRF7665S2TR